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論文

Epitaxial growth of zirconium dioxide films on sapphire substrates

朝岡秀人; 片野吉男; 野田健治

Applied Surface Science, 113-114, p.198 - 201, 1997/00

https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00830-6

被引用回数：9 パーセンタイル：53.06(Chemistry, Physical)

ZrO $_{2}$ には立方、正方、単斜晶系が存在し、1170 $^{circ}$ C付近で正方・単斜晶系のマルテンサイト変態が起こる。この急激な格子定数変化に伴い室温で単斜晶単結晶を得ることは難しい。この度、分子線エピタクシー法により清浄サファイヤーR基板上に単斜晶ZrO $_{2}$ 単結晶薄膜を成長させることに成功した。RHEEDによりストリークパターンが観測され、基板と薄膜は[1120]//[010]、[2021]//[110]の結晶方位を持つ。またAES、XRD、IRによる分析を行い相の同定を行った。